[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中，在将氧化物半导体用作激活层的薄膜晶体管中，防止用作激活层的氧化物半导体区的组成、膜质或界面等的变化，且使薄膜晶体管的电特性稳定。在将第一氧化物半导体区用作激活层的薄膜晶体管中，在第一氧化物半导体区和薄膜晶体管的保护绝缘层之间形成其电导率低于第一氧化物半导体的电导率的第二氧化物半导体区，该第二氧化物半导体区用作第一氧化物半导体区的保护层，而可以防止第一氧化物半导体区的组成的变化和膜质的劣化，且使薄膜晶体管的电特性稳定。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上通过溅射法形成第一氧化物半导体膜；在所述第一氧化物半导体膜上通过溅射法形成第二氧化物半导体膜；在所述第二氧化物半导体膜上形成掩模；以及通过使用所述掩模对所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜进行蚀刻，以形成第一氧化物半导体区及第二氧化物半导体区，其中用来形成所述第二氧化物半导体膜的成膜气体中的氧气流量的比率高于用来形成所述第一氧化物半导体膜的成膜气体中的氧气流量的比率。