[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201510510820.X | 申请日: | 2015-08-19 |
公开(公告)号: | CN105374715B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 滝本雄二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供能抑制在处理单元检测出异常的情况下的生产率的降低的基板处理装置和基板处理方法。本发明的基板处理装置包括处理单元;以及控制部,其用于使处理单元执行基板处理。控制部使处理单元实施基板处理,并根据包含在基板处理后利用基板表面测定检测出的异常的内容的异常检测信息,使被检测出异常的处理单元执行改善处理,改善处理由使异常的内容和改善处理相互对应而得到的改善处理信息确定。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,该基板处理装置包括:处理单元,其用于对基板进行处理;以及控制部,其用于使所述处理单元执行基板处理,所述控制部使所述处理单元实施基板处理,并根据包含在所述基板处理后利用基板表面测定检测出的异常的内容的异常检测信息,使被检测出异常的处理单元执行改善处理,所述改善处理是根据使所述异常的内容和所述改善处理相互对应而得到的改善处理信息确定的,在所述改善处理信息中,作为所述异常的内容,按照异常的每个类型而包含表示异常的程度的信息,应执行的所述改善处理与各类型中的每个异常的程度相互对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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