[发明专利]石墨烯图案及其形成方法、显示基板制备方法及显示装置有效
申请号: | 201510511211.6 | 申请日: | 2015-08-19 |
公开(公告)号: | CN105070658B | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 吕志军;张方振;孙双;张锋;崔承镇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;H01L21/77;G02F1/136 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种石墨烯图案及其形成方法、显示基板制备方法及显示装置,涉及显示技术领域,不受限于激光设备的限定,图案线宽更为精细;且处理时间短,生产效率高、适用于大批量生产。该方法包括在基底层上形成图案层;图案层的图案与待形成的石墨烯图案相一致;形成位于图案层上方且覆盖基底层的石墨烯膜层;将包括有基底层、图案层以及石墨烯膜层的层级结构与目标衬底层相贴合,形成复合层;将复合层浸泡在刻蚀液中以去除图案层,形成与基底层以及其他部分相分离的贴合在目标衬底层表面的石墨烯图案。用于石墨烯图案及包括该石墨烯图案的显示基板、显示装置的制备。 | ||
搜索关键词: | 石墨 图案 及其 形成 方法 显示 制备 显示装置 | ||
【主权项】:
一种石墨烯图案的形成方法,其特征在于,所述方法包括:在基底层上形成图案层;其中,所述图案层的图案与待形成的石墨烯图案相一致;采用化学成膜法,形成位于所述图案层上方且覆盖所述基底层的石墨烯膜层;其中,所述石墨烯膜层的厚度小于所述图案层的厚度;将包括有所述基底层、所述图案层以及所述石墨烯膜层的层级结构与目标衬底层相贴合,形成复合层;其中,所述目标衬底层与所述石墨烯膜层覆盖所述图案层的第一部分相接触,所述目标衬底层与所述石墨烯膜层的其他部分不接触;将所述复合层浸泡在刻蚀液中以去除所述图案层,形成与所述基底层以及所述其他部分相分离的贴合在所述目标衬底层表面的石墨烯图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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