[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201510511335.4 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106469750A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 赵景训;卜凡中;徐磊;郭瑞 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/51;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，其中，所述薄膜晶体管包括形成于一衬底上的栅极；形成于所述栅极上的绝缘层，形成于所述绝缘层上的半导体层；形成于所述半导体层上的源极和漏极；所述源极和漏极位于所述半导体层的两端并与之相连接；其中，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述第一绝缘层与半导体层之间。在本发明提供的薄膜晶体管及其制造方法中，通过采用双层结构的绝缘层，在改善界面特性的同时修复半导体层的缺陷，从而提高薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：形成于一衬底上的栅极；形成于所述栅极上的绝缘层，形成于所述绝缘层上的半导体层；形成于所述半导体层上的源极和漏极；所述源极和漏极位于所述半导体层的两端并与之相连接；其中，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层与半导体层之间。
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