[发明专利]发光器件及其制造方法

摘要

公开了一种发光器件及其制造方法。发光器件包括n型半导体层、p型半导体层、设置在n型半导体层与p型半导体层之间的有源层以及设置在p型半导体层与有源层之间的电子阻挡层。p型半导体层包括空穴注入层、p型接触层以及设置在空穴注入层与p型接触层之间的空穴传输层。空穴传输层包括多个未掺杂层和设置在未掺杂层之间的至少一个中间掺杂层。未掺杂层中的至少一个包括在其中空穴浓度随着与空穴注入层或者p型接触层的距离的增加而降低的区域，并且中间掺杂层设置为与空穴传输层的区域至少部分地重叠，其中空穴传输层的空穴浓度为p型接触层的空穴浓度的62％至87％。

主权项

1.一种发光器件，所述发光器件包含：n型半导体层；p型半导体层；有源层，其设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间；以及电子阻挡层，其设置在所述p型半导体层与所述有源层之间，其中：所述p型半导体层包括空穴注入层、p型接触层和设置在所述空穴注入层与所述p型接触层之间的空穴传输层，所述空穴传输层包括多个未掺杂层和设置在所述未掺杂层之间的至少一个中间掺杂层，所述未掺杂层中的至少一个包括在其中空穴浓度随着与所述空穴注入层或者所述p型接触层的距离的增加而降低的区域，以及所述中间掺杂层设置为与所述空穴传输层的区域至少部分地重叠，其中所述空穴传输层的所述空穴浓度为所述p型接触层的所述空穴浓度的62％至87％。