[发明专利]半导体设备有效

专利信息
申请号: 201510511697.3 申请日: 2015-08-19
公开(公告)号: CN105391316B 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 菅田章彦;野添耕二;二野宫鼓;藤冈伸也 申请(专利权)人: 富士通半导体股份有限公司
主分类号: H02M7/08 分类号: H02M7/08
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 杜诚;陈炜
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 公开了一种半导体设备。在通过利用整流电路根据天线接收的RF载波信号产生电源电压的半导体设备中,每个都包括多个电容器和多个二极管的整流电路被多级连接。整流电路包括在比二极管导通电压大的电压处导通并且将二极管的阴极钳位在第一电压的限幅电路。在连接到天线连接端子的电容器和被提供电源电压的参考电位VSS的节点之间,二极管和限幅电路并联连接。第一电压小于由整流电路的二极管构成的寄生双极晶体管的阈值电压。
搜索关键词: 二极管 整流电路 半导体设备 电容器 电源电压 限幅电路 寄生双极晶体管 阴极 天线连接端子 二极管导通 并联连接 参考电位 多级连接 天线接收 阈值电压 导通 钳位
【主权项】:
1.一种半导体设备,包括:天线,其用于发送和接收无线信号;以及整流电路,其包括多级连接的单元整流电路,并根据所述天线接收的无线信号产生电源电压,所述天线通过天线连接端子连接到所述整流电路,每个单元整流电路包括多个电容器和多个二极管,其中,所述整流电路包括在比所述二极管的导通电压大的电压处导通的限幅电路,所述限幅电路将所述二极管的阴极钳位在第一电压;并且所述限幅电路和所述二极管在连接到所述天线连接端子的所述电容器和被提供所述电源电压的参考电位的节点之间并联连接,其中,所述第一电压小于由所述整流电路的二极管构成的寄生双极晶体管的阈值电压。
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