[发明专利]一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜及其应用

摘要

本发明涉及一种SiC纳米颗粒薄膜，具体涉及一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜及其应用，属于纳米材料技术领域。所述P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的相成份为3C‑SiC，所述P掺杂SiC纳米颗粒薄膜中P掺杂量为0.25‑0.30at.％，所述纳米颗粒薄膜通过有机前驱体粉末和FePO₄·H₂O粉末混合后在气氛烧结炉中高温热解而成。本发明SiC纳米颗粒薄膜的表面具有大量尖锐的棱边和棱角，通过简单可控，具有很好重复性的方法实现了在碳纤维布衬底上制备SiC纳米颗粒薄膜，实现了对SiC纳米颗粒薄膜的P掺杂，并实现了对P掺杂SiC纳米颗粒尺寸的有效调控。

主权项

一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，所述P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的相成份为3C‑SiC，所述P掺杂SiC纳米颗粒薄膜中P掺杂量为0.25‑0.30at.％，所述纳米颗粒薄膜的制备方法为：有机前驱体热交联固化和粉碎，得有机前驱体粉末；将有机前驱体粉末和FePO₄·H₂O粉末混合均匀后置于石墨坩埚底部，将碳布衬底放置在坩埚顶部；所述有机前驱体粉末和FePO₄·H₂O粉末的质量比为5：(0.8‑2)；将石墨坩埚及碳布衬底一起置于气氛烧结炉中，先以28‑32℃/min的速率从室温升温至1300‑1400℃，再以20‑25℃/min的速率升温至1400‑1500℃进行热解；热解后气氛烧结炉以12‑75℃/min的速率先冷却至1080‑1150℃，再随炉冷却至室温，即可得到以碳布为衬底的P掺杂SiC纳米颗粒薄膜。