[发明专利]和差支路采用不同导波结构的高隔离3分贝混合环

摘要

本发明公开了一种和差支路采用不同导波结构的高隔离3分贝混合环。该混合环包括一个传统的微带混合环，在该微带混合环的和端口连接基片集成波导导波结构、差端口连接共面波导导波结构；所述共面波导导波结构包括共面波导中心导带、微带混合环差端口的微带线与共面波导中心导带的耦合部分，该共面波导导波结构由介质基片上下表面的金属贴片构成；所述基片集成波导导波结构包括基片集成波导、微带混合环和端口的微带线至基片集成波导的过渡带，所述基片集成波导由介质基片上下表面的金属贴片和两排金属通孔构成，该两排金属通孔构成基片集成波导的侧壁。本发明和、差端口传播的导波模式截然不同，不易发生耦合，从而实现了两个端口较高的隔离。

主权项

一种和差支路采用不同导波结构的高隔离3分贝混合环，基于一个传统的微带混合环(c)，以共面波导支路为支路1，顺时针依次为支路1、支路2、支路3、支路4，其中支路1为差支路，支路3为和支路，其特征在于，在该微带混合环(c)的和支路的微带线末端连接基片集成波导导波结构、差支路的微带线末端连接共面波导导波结构；所述微带混合环(c)由介质基片上表面的金属贴片和下表面的接地板构成；所述共面波导导波结构包括设置于介质基片下表面的共面波导中心导带及该导带两侧接地板(a)、还包括微带混合环差支路的微带线末端与共面波导中心导带的耦合部分(b)，该耦合部分(b)由位于介质基片上表面的金属贴片和位于下表面的共面波导中心导带构成；所述基片集成波导导波结构包括基片集成波导(f)、微带混合环和支路的微带线末端至基片集成波导的过渡带(d)，所述基片集成波导(f)由介质基片上表面的金属贴片、下表面的接地板和两排金属通孔(e)构成，该两排金属通孔(e)构成基片集成波导(f)的侧壁，微带混合环和支路的微带线末端至基片集成波导的过渡带(d)由介质基片上表面的金属贴片和下表面的接地板构成。