[发明专利]一种降低薄膜硅组件表面色差的方法

摘要

本发明涉及一种降低薄膜硅组件表面色差的方法，属于半导体薄膜工艺和光伏建筑一体化(BIPV)应用领域。本发明一种降低薄膜硅组件表面色差的方法，主要是通过对前电极的处理，从而达到改变电池组件表面色差的目的，其中，在前电极上镀膜包括以下步骤：a、沉积0nm＜金属膜层≤10nm；b、利用PVD技术，在金属层上再沉积0nm＜TCO薄膜≤60nm。本发明通过处理电池组件的前电极后，表面色差都可以得到明显改善，处理过后的样品表面平均反射率降低，且反射率谱中的干涉条纹振幅减小，其△E＜2的比例大幅度提升，可达80％以上；色差明显降低，片与片之间色差不明显，可大面积用于BIPV。

主权项

一种降低薄膜硅组件表面色差的方法，包括在前电极上先镀膜，再镀非晶硅薄膜电池，最后镀金属背电极的步骤，其特征在于：在前电极上镀膜包括以下步骤：a、沉积金属薄膜：在前电极上，沉积金属膜层；其中，0nm＜金属膜层≤10nm；b、沉积TCO薄膜：用氩气轰击AZO靶材，在磁场的作用下，AZO靶材在a步骤制备的金属层上沉积形成TCO薄膜；其中，0nm＜TCO薄膜≤60nm。