[发明专利]一种用于改善光刻对准精度的曝光载片台设计方法有效
申请号: | 201510514316.7 | 申请日: | 2015-08-20 |
公开(公告)号: | CN105159033A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 陈强;史燕萍 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于改善光刻对准精度的曝光载片装置及吸附控制方法,该曝光载片装置包括曝光载片台和用于将硅片吸附在所述曝光载片台上的抽真空单元和抽真空控制单元,抽真空控制单元与多级向心环中的真空孔分别连接,在进行光刻工艺中,抽真空控制单元从第一级向心环开始向圆心外逐一控制相应向心环中的真空孔吸住硅片,以使硅片和曝光载片台间的空气被逐级向心环排出。因此,本发明通过优化光刻机载片台真空孔形状和布局,结合递进的吸真空工序,可以有效地改善硅片形变和对准精度。 | ||
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【主权项】:
一种用于改善光刻对准精度的曝光载片装置,其包括曝光载片台和用于将硅片吸附在所述曝光载片台上的抽真空单元;其特征在于,还包括抽真空控制单元,其中,所述抽真空单元具有均匀分布在所述曝光载片台的圆周上的N个真空孔组,且每一个真空孔组中的真空孔数量相同,均为M;每一组真空孔组中的第一到第M个真空孔组成M级向心环,M为大于等于2的正整数,N为大于等于3的正整数;当硅片放置在所述曝光载片台上后,所述抽真空控制单元与所述M级向心环中的真空孔分别连接,在抽真空过程中,从第一级向心环开始向圆心外逐一控制相应向心环中的真空孔吸住硅片,以使所述硅片和曝光载片台间的空气被逐级向心环排出。
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