[发明专利]使用四碘化钛前体低温沉积纯钛薄膜的方法和装置有效
| 申请号： | 201510514930.3 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105390370B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 思鲁提·维韦克·托姆贝尔;伊斯达克·卡里姆;桑杰·戈皮纳特;丹耐克·迈克尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了使用四碘化钛前体低温沉积纯钛薄膜的方法和装置，具体提供了在低温下沉积高度保形和纯的钛薄膜的方法。方法包括将衬底暴露于四碘化钛，吹扫室，将衬底暴露于等离子体，吹扫室，并重复这些操作。在低于约450℃的低温下沉积钛膜。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 碘化 钛前体 低温 沉积 薄膜 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在室中的半导体衬底上沉积钛的方法，所述方法包括：(a)在低于约450℃的温度下使用原子层沉积循环沉积钛，每个循环包括：(i)将所述衬底暴露于四碘化钛，(ii)吹扫所述室，(iii)将所述衬底暴露于点燃的等离子体，以及(iv)吹扫所述室；以及(b)重复(i)至(iv)直至在所述衬底上沉积了期望厚度的钛，其中，所述等离子体在远程的等离子体产生器中被点燃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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