[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201510515974.8 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105762070B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 姜春守;金裕松 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：在刻蚀目标层的第一区域之上形成线条图案，以及在刻蚀目标层的第二区域和第三区域之上形成预焊盘图案；在线条图案之上形成柱体，以及在预焊盘图案之上形成牺牲焊盘图案；在柱体的侧壁之上形成第一间隔件，使得第一间隔件彼此接触并在其间形成第一预开口；去除柱体来形成多个第二预开口；通过第一预开口和第二预开口来切割线条图案，以及形成切割图案；利用牺牲焊盘图案作为刻蚀掩模来刻蚀预焊盘图案，以及形成焊盘图案；以及利用切割图案和焊盘图案作为刻蚀掩模来刻蚀刻蚀目标层，以分别在第一区域和第二区域之上限定第一图案和第二图案。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在刻蚀目标层的第一区域之上形成多个线条图案，以及在刻蚀目标层的第二区域和第三区域之上形成预焊盘图案；在线条图案之上形成多个柱体，以及在第二区域的预焊盘图案之上形成牺牲焊盘图案；在柱体的侧壁之上形成多个第一间隔件，使得第一间隔件彼此接触并在其间形成多个第一预开口；去除柱体来形成多个第二预开口；通过第一预开口和第二预开口来切割线条图案，以及在第一区域之上形成多个切割图案；利用牺牲焊盘图案作为刻蚀掩模来刻蚀预焊盘图案，以及在第二区域之上形成焊盘图案；以及利用切割图案和焊盘图案作为刻蚀掩模来刻蚀刻蚀目标层，以分别在第一区域和第二区域之上限定第一图案和第二图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
