[发明专利]一种在半导体器件中形成场截止层的方法

摘要

本发明涉及半导体器件领域，具体为一种在半导体器件中形成场截止层的方法包括A）选取一种半导体器件，包括第一导电类型半导体基板。B）从第一导电类型半导体基板的背面进行质子注入。C）对半导体器件在退火装置中进行退火处理，从而形成比第一导电类型半导体基板浓度更高的第一半导体区域。D）从第一导电类型半导体基板的背面进行离子注入。E）对半导体器件在退火装置中进行退火处理，从而形成比第一导电类型半导体基板浓度更高的第二半导体区域。本发明不仅能够达到场截止层的相对于半导体基板的浓度要求，也能够达到场截止层相对于半导体器件背表面的深度要求，同还避免了在场截止层的形成过程中对器件正面结构的影响。

主权项

一种在半导体器件中形成场截止层的方法，其特征在于：包括如下步骤：A）选取一种半导体器件，包括第一导电类型半导体基板（110）；B）从A）中所述半导体器件的第一导电类型半导体基板（110）的背面进行质子注入， 完成注入工序；C）完成B）步骤的注入工序后，对上述半导体器件在退火装置中进行退火处理，从而形成比上述第一导电类型半导体基板（110）浓度更高的第一半导体区域（111a）；C）中形成的第一半导体区域（111a），距离上述半导体器件背表面的深度为d1；C）中所述形成的第一半导体区域（111a）的厚度为h1；D）从A）中所述半导体器件的第一导电类型半导体基板（110）的背面进行离子注入，完成第二道注入工序；E）完成D）步骤的第二道注入工序后，对上述半导体器件在退火装置中进行退火处理，从而形成比上述第一导电类型半导体基板（110）浓度更高的第二半导体区域（111b）；E）中所述形成的第二半导体区域（111b），距离上述半导体器件背表面的深度为d0；E）中所述形成的第二半导体区域（111a）的厚度为h0；F）所述第一半导体区域（111a）和第二半导体区域（111b）共同构成半导体器件中的场截止层（111）；F）中所述的场截止层（111）距离半导体器件背表面的深度为d，深度d = d0；F）中所述的场截止层（111）的厚度为h，厚度h= h0 + h1；所述A）中所述第一导电类型为n型；所述B）中所述的质子注入剂量为1e12 cm‑2~1e16 cm‑2，注入能量为300KeV~6MeV；所述C）中所述退火装置为退火炉，退火炉的气体氛围为氮气，退火温度为320℃~420℃，退火时间为40 分钟~ 6小时；所述C）中所述退火装置为退火炉，退火炉的气体氛围为氢气，退火温度为320℃~420℃，退火时间为40 分钟~ 6小时；所述D）中所述离子注入的元素为磷；所述D）中所述离子注入的元素为砷；所述D）中所述的离子注入剂量为5e12 cm‑2~5e16 cm‑2，注入能量为200KeV~8MeV；所述E）中所述退火装置为激光退火装置，退火处理的方式为激光退火。