[发明专利]预切割半导体结构的金属线的方法有效
| 申请号： | 201510516163.X | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105390436B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | A·C-H·魏;G·布什;M·A·扎勒斯基 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明公开了预切割金属线。具体地，本发明的实施例提供一种方法用于后段制程结构中牺牲金属线的切割。在金属Mx线上面形成牺牲Mx+1线。在该牺牲Mx+1线上方沉积和图案化线切口微影堆栈物并且形成切穴。该切穴用介电材料填充。以选择性蚀刻制程去除该牺牲Mx+1线，保护填充在该切穴中的电介质。接着在去除该牺牲Mx+1线的地方沉积金属来形成预切金属线。因此本发明的实施例提供预切金属线，并且不需要金属切割。通过避免金属切割的需要，也避免了与金属切割有关的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 金属线 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括:在多个金属Mx线上方形成多个牺牲Mx+1线；在该多个牺牲Mx+1线上方沉积介电层；在该多个牺牲Mx+1线的其中一个牺牲Mx+1线中形成切穴；在该切穴中形成介电区；去除该多个牺牲Mx+1线以形成多个Mx+1线穴；以及以金属填充该多个Mx+1线穴以形成多个金属Mx+1线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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