[发明专利]用于选择性超低k孔密封的可流动电介质在审
| 申请号： | 201510516169.7 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105390437A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 尼莉莎·苏·德雷格;凯寒·阿比迪·阿施蒂尼;迪伊奈斯·帕德希;德里克·B·王;巴特·J·范施拉芬迪克;乔治·安德鲁·安东内利;阿图尔·科利奇;赵烈;帕特里克·A·范克利蒙布特 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及选择性超低k孔密封的可流动电介质，公开的方法和设备的实现涉及到用可流动的电介质材料对多孔电介质膜进行孔密封。该方法涉及在一定的条件下将上面具有暴露的多孔电介质膜的衬底暴露于气相电介质前体，使得在多孔电介质材料的孔中选择性地沉积可流动电介质材料。在任何暴露的金属表面上没有沉积连续膜的情况下可用所沉积的可流动电介质材料填充孔。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 选择性 密封 流动 电介质 | ||
【主权项】：
一种密封具有外表面和开口通向所述外表面的孔的多孔电介质层中的孔的方法，其包括：引入气相电介质前体到处理室中，其中所述电介质前体的分压在所述电介质前体的饱和压以下，从而在所述多孔电介质层的所述孔的至少所述开口中选择性地沉积可流动电介质膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
