[发明专利]包含电荷存储结构的半导体开关器件有效
| 申请号： | 201510516306.7 | 申请日： | 2015-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN105390545B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | M.戴内泽;F.希尔勒;C.耶格;J.G.拉文;A.毛德;M.勒施;W.勒斯纳;M.施蒂夫廷格;R.施特伦茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及包含电荷存储结构的半导体开关器件。一种半导体开关器件（500）包含第一负载端子（L1），第一负载端子（L1）被电气连接到晶体管单元（TC）的源极区段（110）。源极区段（110）与基体区段（115）形成第一pn结（pn1）。第二负载端子（L2）被电气连接到漏极构造（120），漏极构造（120）与基体区段（115）形成第二pn结（pn2）。控制结构（400）直接邻接基体区段（115），控制结构（400）包含控制电极（420）和电荷存储结构（410）。控制电极（420）控制经过基体区段（115）的负载电流。电荷存储结构（410）将所述控制电极（420）与基体区段（110）绝缘并且含有控制电荷（419），控制电荷（419）被适配成在控制电极（420）与第一负载电极（L1）之间缺少电势差时诱发基体区段（115）中的反型沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 电荷 存储 结构 半导体 开关 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体开关器件，包括：晶体管单元（TC），包括与基体区段（115）形成第一pn结（pn1）的源极区段（110），所述基体区段（115）与漏极构造（120）形成第二pn结（pn2）；辅助单元（AC），包括电荷载流子传递区段（118），所述电荷载流子传递区段（118）与所述漏极构造（120）的去饱和部分（121a）形成第三pn结（pn3）；第一控制结构（150），包括控制电极（420）的第一部分并且被配置成在开态中诱发经过基体区段（115）的反型沟道；第二控制结构（400），直接邻接去饱和部分（121a），所述第二控制结构（400）包括所述控制电极（420）的第二部分和带电层（415），所述带电层（415）夹在控制电极（400）的第二部分与所述去饱和部分（121a）之间并且含有控制电荷（419），所述控制电荷（419）被适配成在开态中诱发所述去饱和部分（121a）中的反型层。
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