[发明专利]一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构

摘要

本发明涉及半导体器件领域，具体为一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，包括金属导电层，金属导电层的一侧设置有衬底，衬底上设置有多个沟槽，衬底的一侧设置有耗尽区，耗尽区一侧设置有电位V1，沟槽一侧的金属导电层上设置有电位V2；各沟槽内设置有沟槽导电填充物，在所述沟槽的侧壁和底部设置有绝缘层，各沟槽之间形成相互连接的感应电荷浓度增强区。本发明是通过器件结构设计来实现场截止的，彻底摆脱了现有技术所采用的掺杂方法所固有的扩散深度有限、高温过程影响器件其他结构以及工艺受限等缺点。并且本发明中的场截止功能是通过沟槽的场效应来实现的，该效应具有随电场增强而增强的自适应特性。

主权项

1.一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，其特征在于：包括金属导电层（101），所述金属导电层（101）的一侧设置有衬底（100），所述衬底（100）上设置有多个沟槽，所述衬底（100）的一侧设置有耗尽区（105），所述耗尽区（105）一侧设置有电位V1，沟槽一侧的金属导电层（101）上设置有电位V2；各沟槽内设置有沟槽导电填充物（102），在所述沟槽的侧壁和沟槽底部（1031）设置有绝缘层（103），利用沟槽将背表面电势引入器件内部，在沟槽之间形成相互连接的感应电荷浓度增强区（104）；所述衬底（100）包括硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓或金刚石，所述衬底（100）的导电类型为P型或者N型；所述金属导电层（101）包括多晶硅、铝、银、铜、钛、镍、钼、金或其合金；所述沟槽导电填充物（102）包括多晶硅、铝、银、铜、钛、镍、钼、金或其合金；所述绝缘层（103）包括氧化硅、氮化硅、氧化钽或氧化锆；所述耗尽区（105）为PN结或者肖特基结。