[发明专利]少数载流子转换结构

摘要

本发明涉及少数载流子转换结构。依据半导体器件的实施例，半导体器件包含：功率器件井，在半导体衬底中；逻辑器件井，在衬底中并且通过衬底的分离区与功率器件井间隔开；以及少数载流子转换结构，该少数载流子转换结构包含分离区中的第一导电类型的第一掺杂区、分离区中的第二导电类型的第二掺杂区以及将第一和第二掺杂区连接的导电层。第二掺杂区包含在第一掺杂区与功率器件井之间插入的第一部分和在第一掺杂区与逻辑器件井之间插入的第二部分。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有相反的第一和第二主表面；第一井，从第一主表面延伸到半导体衬底中；垂直功率器件，被部分设置在第一井中并且具有垂直电流路径，所述垂直电流路径在与第一和第二主表面正交的方向上延伸；第二井，从第一表面延伸到半导体衬底中并且通过半导体衬底的分离区与第一井间隔开；多个逻辑器件，被设置在第二井中；以及分离区中的少数载流子转换结构，所述少数载流子转换结构包括：与第一和第二井相同的导电类型的第一掺杂区，所述第一掺杂区从第一主表面延伸到半导体衬底中；与第一掺杂区相反的导电类型的第二掺杂区，所述第二掺杂区从第一主表面延伸到半导体衬底中；以及导电层，连接第一和第二掺杂区，其中所述第一掺杂区被设置成到第二井比到第一井更接近，其中所述第二掺杂区在第一掺杂区与第一井之间比在第一掺杂区与第二井之间更宽。