[发明专利]一种碳化硅器件用离子注入来形成高掺杂的制造方法

摘要

本发明涉及一种碳化硅器件用离子注入来形成高掺杂的制造方法，包括以下特征：首先把碳化硅晶圆工件需要高浓度掺杂(＞2×10¹⁵/cm²)区域暴露出来。对暴露出来的区域注入掺杂离子，剂量需少于非晶化阈值，＜2×10¹⁵/cm²。在晶格没有被严重破坏、形成非晶化结构前，停止离子注入。利用退火热处理，把晶格损伤除掉。然后重复以上注入剂量少于非晶化阈值及退火步骤，直至注入总剂量达到所需的高剂量掺杂。最后，使用退火热处理，激活注入离子，形成高浓度掺杂区。

主权项

1.一种碳化硅器件用离子注入来形成高掺杂的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)把碳化硅(SiC)晶圆工件需要高浓度掺杂(＞2×10¹⁵/cm²)的区域暴露出来；对暴露出来的区域注入掺杂离子，剂量需少于非晶化阈值的少剂量注入，注入剂量＜2×10¹⁵/cm²；在晶格没有被严重破坏、形成非晶化结构层前，停止离子注入，在注入时，衬底温度没有特别要求；(2)利用退火热处理，把晶格损伤除掉；(3)重复上述少剂量注入掺杂离子(＜2×10¹⁵/cm²)及退火热处理步骤，直至所积累的注入剂量达到所需要的剂量(＞2×10¹⁵/cm²)；(4)使用退火热处理，激活注入离子，形成高浓度掺杂区。