[发明专利]碳化硅外延衬底及其制造方法以及碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201510518439.8 | 申请日： | 2015-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN105448672A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅外延衬底及其制造方法以及碳化硅半导体器件。所述制造碳化硅外延衬底的方法包括以下步骤：准备碳化硅衬底；和在碳化硅衬底上形成碳化硅层。在该制造方法中，在形成碳化硅层的步骤中，重复生长外延层的步骤和抛光外延层的表面的步骤两次或更多次。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 衬底 及其 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅外延衬底的方法，包括以下步骤：准备碳化硅衬底；以及在所述碳化硅衬底上形成碳化硅层，在形成所述碳化硅层的所述步骤中，将生长外延层的步骤和抛光所述外延层的表面的步骤重复两次或更多次。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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