[发明专利]一种微电子封装用超细铜合金键合丝及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510519246.4 申请日: 2015-08-22
公开(公告)号: CN105132735A 公开(公告)日: 2015-12-09
发明(设计)人: 周振基;周博轩;田首夫 申请(专利权)人: 汕头市骏码凯撒有限公司
主分类号: C22C9/00 分类号: C22C9/00;C22C1/03
代理公司: 汕头市潮睿专利事务有限公司 44230 代理人: 林天普;丁德轩
地址: 515065 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种微电子封装用超细铜合金键合丝,其特征在于其各成分及含量为:Ti 10-50wt.ppm,Li 10-50wt.ppm,Zr 10-50wt.ppm,Fe 10-50wt.ppm,Ag 10-50wt.ppm,B 10-50wt.ppm,稀土元素10-50wt.ppm,余量为铜及不可避免的杂质,且杂质中的O和S在整个铜合金键合丝中的含量≤5wt.ppm;所述稀土元素是Eu、Y和Dy中的一种或其中多种的组合。本发明还提供上述微电子封装用超细铜合金键合丝的一种制备方法。本发明的铜合金键合丝具有良好的抗氧化性能、良好的导电导热性、可焊性、较高的单丝长度等优良性能,其制备方法操作简便。
搜索关键词: 一种 微电子 封装 用超细 铜合金 键合丝 及其 制备 方法
【主权项】:
一种微电子封装用超细铜合金键合丝,其特征在于其各成分及含量为:Ti 10-50wt.ppm,Li 10-50wt.ppm,Zr 10-50wt.ppm,Fe 10-50wt.ppm,Ag 10-50wt.ppm,B 10-50wt.ppm,稀土元素10-50wt.ppm,余量为铜及不可避免的杂质,且杂质中的O和S在整个铜合金键合丝中的含量≤5wt.ppm;所述稀土元素是Eu、Y和Dy中的一种或其中多种的组合。
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