[发明专利]用于在低温ALD系统中的稳定沉积率控制的方法和装置

摘要

本发明涉及用于在低温ALD系统中的稳定沉积率控制的方法和装置，具体公开了在半导体衬底上沉积材料膜的方法。该方法可以包括：在喷头基本上维持在第一温度时，使膜前体穿过喷头流入处理室内；以及在衬底保持架基本上维持在第二温度时，使膜前体吸附到保持在衬底保持架上的衬底上，使得前体形成吸附受限层。第一温度比第二温度高至少10℃，或者第一温度处于或低于第二温度。该方法还可以包括：从包围所吸附的膜前体的体积除去至少一些未被吸附的膜前体；以及之后，使所吸附的膜前体反应以形成膜层。本发明还公开了一种装置，该装置包括：处理室；衬底保持架；喷头；以及一个或多个控制器，其用于操作该装置以使用前述膜沉积技术。

主权项

一种在处理室中在半导体衬底上沉积材料膜的方法，所述方法包括：(a)在喷头基本上维持在第一温度时，使膜前体穿过所述喷头流入处理室内；(b)在衬底保持架基本上维持在第二温度时，使所述膜前体吸附到在所述处理室中的保持在所述衬底保持架上的衬底上，使得所述前体在所述衬底上形成吸附受限层；(c)从包围所吸附的所述膜前体的体积除去至少一些未被吸附的膜前体；以及(d)在(c)中去除所述未被吸附的膜前体之后，使所吸附的膜前体反应，以在所述衬底上形成膜层；其中所述第一温度比所述第二温度高至少10℃。