[发明专利]p-NiO/n-ZnO异质结光催化材料及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201510519795.1 | 申请日： | 2015-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN105148924A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 矫淑杰;周廷龙;李海力;朱春光 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | B01J23/80 | 分类号： | B01J23/80;A62D3/17 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p-NiO/n-ZnO异质结光催化材料及其制备方法与应用，所述光催化材料以ITO为衬底，在ITO衬底上生长ZnO纳米阵列，然后在ZnO纳米阵列上生长NiO网格结构，构成ZnO/NiO的双层复合结构。本发明利用水热法在透明导电薄膜衬底(ITO)上制备NiO/ZnO异质pn结，光生电子和空穴在pn结的自建电场作用有效分离，提高光催化性能，开展了光催化性能的研究，表明NiO/ZnO异质pn结在光催化降解有机物方面具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | nio zno 异质结 光催化 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种p‑NiO/n‑ZnO异质结光催化材料，其特征在于所述光催化材料以ITO为衬底，在ITO衬底上生长ZnO纳米阵列，然后在ZnO纳米阵列上生长NiO网格结构，构成ZnO/NiO的双层复合结构。
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