[发明专利]一种横向FINFET器件

摘要

本发明涉及半导体技术，特别涉及一种横向FINFET器件。该本发明主要技术方案为所述横向超结FINFET结构，包括自下而上的衬底、顶层结构；其中顶层结构的栅电极中间部分嵌入到沟道区中部形成围栅结构；顶层结构漂移区是由依次交替排布的第一类半导体漂移区、隔离介质层、辅助耗尽区组成，形成类似超结的电荷平衡结构。相比于传统器件，本发明在顶层结构处的围栅结构增大了沟道宽度，有效降低了沟道电阻，同时类似超结的电荷平衡结构的形成也有效的降低了漂移区导通电阻，最终实现了一种同时拥有高耐压和低比导通电阻、低功耗的新型器件。

主权项

一种横向FINFET器件，包括衬底(201)和位于衬底(201)上表面的源极结构、漏极结构和耐压层结构；沿器件纵向方向，所述耐压层结构位于源极结构和漏极结构之间；所述源极结构上表面还具有栅极结构；所述漏极结构由第一导电类型半导体漏区(203)和位于第一导电类型半导体漏区(203)上表面的金属漏电极构成；所述源极结构包括第二导电类型半导体接触区(204)、第一导电类型半导体源区(205)、第二导电类型半导体体区(206)和金属源电极(101)；所述第二导电类型半导体接触区(204)和第一导电类型半导体源区(205)位于第二导电类型半导体体区(206)中；所述金属源电极(101)位于第二导电类型半导体接触区(204)和第一导电类型半导体源区(205)上表面；所述栅极结构包括栅导电材料(102)和栅介质(304)；所述栅介质(304)位于第二导电类型半导体体区(206)上表面，所述栅导电材料(102)位于栅介质(304)上表面；其特征在于；所述耐压层结构包括第一导电类型漂移区(303)、处在第一导电类型漂移区(303)中的隔离介质层(301)和用于形成电荷平衡以调节漂移区内电场的辅助耗尽区(302)，所述隔离介质层(301)填充的材料为高介电常数材料，所述辅助耗尽区(302)填充的是第二导电类型半导体材料或沿器件纵向方向交替排列的第一导电类型半导体材料和第二导电类型半导体材料；所述隔离介质层(301)沿器件垂直方向贯穿第一导电类型漂移区(303)，其下表面与衬底(201)上表面连接；所述隔离介质层(301)沿器件纵向方向形成半闭合结构，其开口端位于第二导电类型半导体体区(206)中并与第二导电类型半导体接触区(204)和第一导电类型半导体源区(205)连接，其闭合端与第一导电类型半导体漏区(203)连接；所述辅助耗尽区(302)位于隔离介质层(301)形成的半闭合结构的开口中，所述辅助耗尽区(302)通过隔离介质层(301)与第一导电类型漂移区(303)相互隔离，其中，所述栅导电材料(102)沿器件纵向方向延伸至隔离介质层(301)上表面，并沿器件垂直方向延伸入隔离介质层(301)中，对体区构成半包围结构形成围栅结构。