[发明专利]倒装阳极的纳米真空三极管结构及制备方法

摘要

一种倒装阳极的纳米真空三极管结构，包括：一衬底；一氮化铝薄膜阴极生长于衬底的正面；一金属电极制作在衬底的背面；形成阴极；一玻璃基板；一透明导电层制作在玻璃基板上；一第一绝缘层制作在透明导电层上，中间为窗口；一金属栅极制作在第一绝缘层上，中间为窗口；一第二绝缘层制作在金属栅极上，中间为窗口；形成阳极；将该阳极的第二绝缘层与该阴极的氮化铝薄膜阴极扣置连接，形成倒装阳极的纳米真空三极管结构。本发明可以克服已有纳米真空三极管结构的不足，提出同时具有避免阴极氧化、提高阳极收集电子能力、以及便于倒装集成的多重优点。

主权项

1.一种倒装阳极的纳米真空三极管结构，包括：一衬底；一氮化铝薄膜阴极，其生长于衬底的正面；一金属电极，其制作在衬底的背面；其中该衬底、氮化铝薄膜阴极和金属电极为阴极；一玻璃基板；一透明导电层，其制作在玻璃基板上；一第一绝缘层，其制作在透明导电层上，中间为窗口；一金属栅极，其制作在第一绝缘层上，中间为窗口；一第二绝缘层，其制作在金属栅极上，中间为窗口；其中该玻璃基板、透明导电层、第一绝缘层、金属栅极和第二绝缘层为阳极；将该阳极的第二绝缘层与该阴极的氮化铝薄膜阴极扣置连接，形成倒装阳极的纳米真空三极管结构；所述倒装阳极结构，阴极与阳极和栅极在工艺上互不影响，便于利用倒装技术将真空三极管集成；所述第一绝缘层、第二绝缘层及金属栅极三层的总厚度小于100nm；第一绝缘层、第二绝缘层的材料为二氧化硅或氮化硅；所述窗口的深度大于第一绝缘层、第二绝缘层及金属栅极厚度的总和。