[发明专利]存储器元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510521058.5 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106486529A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 游焜煌;萧世楹 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器元件及其制造方法。存储器元件，包括第一栅极、第二栅极以及栅间介电层。第一栅极埋入衬底中。第二栅极配置于衬底上，且第二栅极的材料包括金属。栅间介电层配置于第一栅极与第二栅极之间。另提供一种存储器元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器元件，其特征在于包括：第一栅极，埋入衬底中；第二栅极，配置于所述衬底上，其中所述第二栅极的材料包括金属；以及栅间介电层，配置于所述第一栅极与所述第二栅极之间。
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