[发明专利]一种用于碳化硅器件的自对准方法有效
| 申请号： | 201510522447.X | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN105097456B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 何钧;韩超;田红林;吴海雷;梁卫华;高怡瑞 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张文祎 |
| 地址： | 100192 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于碳化硅器件的自对准方法，包括如下步骤：在晶圆上制备裸露的沟道和沟槽；在沟槽的底部和侧壁以及沟道表面沉积一层第一介质层，且第一介质层的材质中含有干法刻蚀的终点检测指示元素；在第一介质层表面沉积一层第二介质层，以覆盖沟槽的底部和侧壁以及沟道表面；在对应沟槽处的第二介质层表面覆盖光刻胶，以填充沟槽内的空隙，使得光刻胶裸露的表面与对应沟道处的第二介质层表面齐平；采用干法刻蚀去除对应沟道处的第二介质层和第一介质层，使得沟道表面裸露；在裸露的沟道表面形成一层上表面金属电极。所述自对准方法能够避免在第一介质层表面沉积厚度较大的第二介质层；不受化学机械研磨方法或干法刻蚀的专门设备的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碳化硅 器件 对准 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于碳化硅器件的自对准方法，其特征在于，该自对准方法包括如下步骤：在晶圆上制备裸露的沟道和沟槽；在沟槽的底部和侧壁以及沟道表面沉积一层第一介质层，且第一介质层的材质中含有干法刻蚀的终点检测指示元素；在第一介质层表面沉积一层第二介质层，以覆盖沟槽的底部和侧壁以及沟道表面；在对应沟槽处的第二介质层表面覆盖光刻胶，以填充沟槽内的空隙，使得光刻胶裸露的表面与对应沟道处的第二介质层表面齐平；采用干法刻蚀去除对应沟道处的第二介质层和第一介质层，使得沟道表面裸露；在裸露的沟道表面形成一层上表面金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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