[发明专利]一种污秽试验中加快绝缘子受潮的方法有效

专利信息
申请号: 201510522532.6 申请日: 2015-08-24
公开(公告)号: CN105158665B 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 周志成;赵晨龙;高嵩;陶风波;朱明曦;张龙;王黎明 申请(专利权)人: 国家电网公司;江苏省电力公司;江苏省电力公司电力科学研究院;清华大学深圳研究生院
主分类号: G01R31/20 分类号: G01R31/20
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司32224 代理人: 刘艳艳,董建林
地址: 210000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种污秽试验中加快绝缘子受潮的方法,试验前对绝缘子做预处理,通过测量与控制绝缘子表面温度,控制受潮环境温度与湿度,人为造成绝缘子表面污层冷凝受潮,达到加速绝缘子表面污层受潮的目的。
搜索关键词: 一种 污秽 试验 加快 绝缘子 受潮 方法
【主权项】:
一种污秽试验中加快绝缘子受潮的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)试验流程:(1)测定绝缘子初始温度T0;(2)设定冰室温度Tfri;(3)将绝缘子置于冰室中,处理时间t1;(4)设定雾室温度Tcha、相对湿度100%;(5)将绝缘子取出,置于雾室中,受潮时间t2;(6)受潮结束,开展试验;2)参数设定:降温阶段绝缘子温度常数为τ1,处理时间为t1,处理接受后绝缘子温度为T1;雾室受潮阶段绝缘子温度常数为τ2,受潮时间为t2,处理接受后绝缘子温度为T2;则有T1=Tfri-(T0-Tfri)e-t1τ1]]>T2=Tcha-(Tcha-T1)e-t2τ2]]>为保证在绝缘子受潮阶段t2时间范围内绝缘子温度均低于环境露点,冰室中的处理时间应不低于t1t1=-τ1ln[(Tcha-Tfri)-(Tcha-T2)et2τ2Tfri-T0].]]>
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