[发明专利]包含在高薄层电阻晶片上形成的电极的太阳能电池在审
申请号: | 201510522588.1 | 申请日: | 2015-08-24 |
公开(公告)号: | CN105449012A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 朴相熙;丘显晋;金泰俊;朴珉秀;郑名成;河贤辰 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 彭雪瑞;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙仁*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种包含在高薄层电阻晶片上形成的电极的太阳能电池,具体的包含p-n结衬底以及在其一个表面上形成的电极,其中p-n结衬底的薄层电阻为85到150Ω/sq,且粒径为10到1,000纳米的银晶体存在于电极内,邻接于p-n结衬底与电极之间的界面。太阳能电池在高薄层电阻衬底上包含电极,其中电极由太阳能电池电极用的组合物形成。组合物包含源于银化合物的玻璃料,银化合物在1000℃或低于1000℃的温度下分解成银离子,从而增强电极与衬底之间的接触效率,且具有被降到最低的接触电阻(Rc)和串联电阻(Rs),由此展现极佳填充因数和转化效率。 | ||
搜索关键词: | 包含 薄层 电阻 晶片 形成 电极 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括p‑n结衬底以及在所述p‑n结衬底的一个表面上形成的电极,其中所述p‑n结衬底的薄层电阻为85Ω/sq到150Ω/sq,且粒径为10纳米到1000纳米的银晶体存在于所述电极内,邻接于所述p‑n结衬底与所述电极之间的界面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510522588.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的