[发明专利]包含在高薄层电阻晶片上形成的电极的太阳能电池在审

专利信息
申请号: 201510522588.1 申请日: 2015-08-24
公开(公告)号: CN105449012A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 朴相熙;丘显晋;金泰俊;朴珉秀;郑名成;河贤辰 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/04
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 彭雪瑞;臧建明
地址: 韩国京畿道龙仁*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种包含在高薄层电阻晶片上形成的电极的太阳能电池,具体的包含p-n结衬底以及在其一个表面上形成的电极,其中p-n结衬底的薄层电阻为85到150Ω/sq,且粒径为10到1,000纳米的银晶体存在于电极内,邻接于p-n结衬底与电极之间的界面。太阳能电池在高薄层电阻衬底上包含电极,其中电极由太阳能电池电极用的组合物形成。组合物包含源于银化合物的玻璃料,银化合物在1000℃或低于1000℃的温度下分解成银离子,从而增强电极与衬底之间的接触效率,且具有被降到最低的接触电阻(Rc)和串联电阻(Rs),由此展现极佳填充因数和转化效率。
搜索关键词: 包含 薄层 电阻 晶片 形成 电极 太阳能电池
【主权项】:
一种太阳能电池,包括p‑n结衬底以及在所述p‑n结衬底的一个表面上形成的电极,其中所述p‑n结衬底的薄层电阻为85Ω/sq到150Ω/sq,且粒径为10纳米到1000纳米的银晶体存在于所述电极内,邻接于所述p‑n结衬底与所述电极之间的界面。
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