[发明专利]薄膜晶体管与其制作方法

摘要

一种薄膜晶体管，包括基板、位于基板上表面的栅极、位于基板上表面并覆盖栅极的绝缘层、位于绝缘层上表面的半导体通道层、位于半导体通道层上表面的界定层、位于半导体通道层的上表面并覆盖界定层的有机介电层以及从有机介电层的上表面穿过有机介电层的源极与漏极。其中，半导体通道层具有通道厚度，且通道厚度不大于20纳米。源极于界定层的第一侧与半导体通道层接触，而漏极于该界定层的第二侧与半导体通道层接触，第二侧相对于第一侧。

主权项

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一基板；一栅极，位于该基板的上表面；一绝缘层，位于该基板的上表面并覆盖该栅极；一半导体通道层，位于该绝缘层的上表面，该半导体通道层的厚度不大于20纳米且该半导体通道层的材料为金属氧化物，其中该半导体通道层具有一半导体通道；一界定层，位于该半导体通道层的上表面且对应于该半导体通道；一有机介电层，位于该半导体通道层的上表面并覆盖该界定层，且具有多个接触洞；该有机介电层的材料分子带有一官能基的有机化合物，该官能基选自由羟基、氨基与硫醇所组成的群组；以及一源极与一漏极，位于该有机介电层的上表面，借由该些接触洞与该半导体通道层接触。