[发明专利]利用衬垫层制造半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法包括：在包括下图案的基板上顺序地形成层间绝缘层和包括第一开口的硬掩模图案；利用硬掩模图案在层间绝缘层中形成暴露下图案的沟槽；形成衬垫层，该衬垫层包括沿着沟槽的侧壁和底表面形成的第一部分以及沿着硬掩模图案的顶表面形成的第二部分；在沟槽中形成暴露衬垫层的第二部分的牺牲图案；利用牺牲图案去除衬垫层的第二部分和硬掩模图案；以及在去除硬掩模图案之后，去除牺牲图案以暴露衬垫层的第一部分。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在包括下图案的基板上顺序地形成层间绝缘层和硬掩模图案，所述硬掩模图案中包括第一开口；利用所述硬掩模图案在所述层间绝缘层中形成沟槽，其中所述沟槽暴露所述下图案；形成衬垫层，所述衬垫层包括沿着所述沟槽的侧壁和底表面延伸的第一部分以及沿着所述硬掩模图案的顶表面延伸的第二部分；在所述沟槽中形成牺牲图案，其中所述牺牲图案暴露所述衬垫层的所述第二部分；利用所述牺牲图案去除所述衬垫层的所述第二部分和所述硬掩模图案；以及在去除所述硬掩模图案之后，去除所述牺牲图案以暴露所述衬垫层的第一部分。