[发明专利]在缓冲层中具有开口的集成扇出结构有效
申请号: | 201510523238.7 | 申请日: | 2015-08-24 |
公开(公告)号: | CN105720018B | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 邱梧森;郑礼辉;蔡柏豪;林俊成 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种封装件,包括模塑料、穿过模塑料的通孔、模制在模塑料中的器件管芯以及位于模塑料上并接触模塑料的缓冲层。开口穿过缓冲层到达通孔。缓冲层具有位于与模塑料和缓冲层之间的界面平行的平面中并且环绕开口周边的波纹。其他实施例实现接合至该封装件的另一封装件以及形成封装件的方法。 | ||
搜索关键词: | 缓冲 具有 开口 集成 结构 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装件结构,包括:第一封装件,包括:模塑料;通孔,穿过所述模塑料;器件管芯,模制在所述模塑料中;以及缓冲层,位于所述模塑料上并且接触所述模塑料,开口穿过所述缓冲层到达所述通孔,所述缓冲层在与所述模塑料和所述缓冲层之间的界面平行的平面中以及环绕所述开口的周围具有波纹;引导沟槽,从所述缓冲层的表面延伸到所述缓冲层中,所述引导沟槽不与所述器件管芯对准,所述引导沟槽形成环形,并且所述引导沟槽环绕所述缓冲层的中心部分,同时所述缓冲层的中心部分与所述器件管芯的整体重叠。
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