[发明专利]一种熔盐体系下低温晶化氧化硅的方法有效
| 申请号： | 201510523817.1 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN105174271B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 胡桂青;姚宝殿;于治水 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种熔盐体系下低温晶化氧化硅的方法，包括以下步骤(1)将氧化硅加入熔盐体系中，并研磨得到混合粉体，使氧化硅均匀分散于熔盐中；(2)将混合粉体在空气中常压条件下，500℃下熔盐反应4‑6小时；(3)反应结束后，用去离子水溶解去除熔盐，并离心，干燥处理得到晶化氧化硅，同时熔盐可以重复性利用。与现有技术相比，本发明首次提出了一种熔盐法低温晶化氧化硅的方法，显著降低反应温度，并且制备的为方石英；采用本发明提供的方法容易实现反应的均匀性；采用本发明提供的方法晶化氧化硅具有反应温度低，反应时间短，结晶度高，制备简单、经济和环保等特点，具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 体系 低温 氧化 方法 | ||
【主权项】：
一种熔盐体系下低温晶化氧化硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将氧化硅加入熔盐体系中，并研磨得到混合粉体；(2)将混合粉体在空气中常压条件下，500℃下熔盐反应4‑6小时；(3)反应结束后，用去离子水溶解去除熔盐，并离心，干燥处理得到晶化氧化硅；步骤(1)所述的熔盐为NaNO3熔盐；步骤(1)所述的氧化硅为介孔氧化硅SBA‑15；步骤(1)中所述的氧化硅与熔盐的重量比为1:(10～50)。
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