[发明专利]晶片封装环境中制作AI/GE键合的方法及由其生产的产品在审
| 申请号： | 201510523929.7 | 申请日： | 2006-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105206537A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·S·纳西里;安东尼·弗朗西斯·小弗兰纳里 | 申请（专利权）人： | 因文森斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/603;B81C1/00;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及晶片封装环境中制作AI/GE键合的方法及由其生产的产品。一种通过铝锗键合(110)进行第一MEMS衬底(102)与第二CMOS衬底(104)之间的键合以形成坚固的电及机械触点的方法，所述第一MEMS衬底(102)包括至少一个经图案化的大致锗层，所述第二CMOS衬底(104)包括至少一个经图案化的大致铝层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 环境 制作 ai ge 方法 生产 产品 | ||
【主权项】：
一种用于键合第一衬底晶片和第二衬底晶片的方法，经图案化的铝层设置在所述第一衬底晶片上，经图案化的锗层设置在所述第二衬底晶片上，所述方法包含：将所述第一衬底晶片放置在第一夹盘中；将所述第二衬底晶片放置在第二夹盘中；将所述第一衬底晶片和所述第二衬底晶片对准；及在所述经图案化的锗层和所述经图案化的铝层之间形成低共熔键合，其中通过在所述第一夹盘和所述第二夹盘上施加力且将温度从铝/锗键合的低共熔点升高到第二预定温度来形成所述低共熔键合，所述第二预定温度在450℃以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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