[发明专利]一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示面板在审

专利信息
申请号: 201510524296.1 申请日: 2015-08-24
公开(公告)号: CN105140296A 公开(公告)日: 2015-12-09
发明(设计)人: 刘翔 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示面板,其中,薄膜晶体管,包括:衬底基板,衬底基板上的有源层、有源层上的源漏电极,还包括:设置在所述源漏电极上的氧化保护层;贯通所述氧化保护层的开口,所述开口对应所述源漏电极之间的有源层区域。可以避免漏电极被氧化,从而提升薄膜晶体管的性能。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示 面板
【主权项】:
一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括:形成所述薄膜晶体管的有源层;形成所述薄膜晶体管的源漏电极层薄膜;形成所述薄膜晶体管的氧化保护层薄膜;形成所述源漏电极层薄膜对应所述有源层的沟道区域的第一开口;形成所述氧化保护层薄膜对应所述有源层的沟道区域的第二开口;所述第一开口和所述第二开口是通过一次构图工艺形成的。
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