[发明专利]一种柱顶互连型态半导体封装构造及其制造方法在审
| 申请号： | 201510525891.7 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106486453A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 叶昀鑫;徐宏欣 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 马廷昭 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种使用模封互连基板工艺的柱顶互连(PTI)型态半导体封装构造及其制造方法，该半导体封装构造包含一形成于载板平面上的重配置线路层、复数个设置于重配置线路层的金属柱、一设置于重配置线路层上的芯片以及一模封基板层。模封基板层形成于载板平面上，模封基板层的下表面定义于载板平面，以使重配置线路层凹陷于模封基板层中，模封基板层的封装厚度大于芯片的芯片设置高度，以使芯片包覆于模封基板层中以及金属柱包覆于模封基板层的周边。金属柱具有不被模封基板层包覆的顶端。因此，可达到POP封装堆栈超薄与小型化、封装堆栈的纵向导通路径细间距的功效，并可完成POP封装堆栈的零间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 半导体 封装 构造 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种柱顶互连型态半导体封装构造，其特征在于，其包含：一第一重配置线路层，形成于一载板平面上，该第一重配置线路层包含复数个第一扇入垫与复数个第一扇出垫；复数个第一金属柱，设置于该些第一扇出垫上；一第一芯片，设置于该第一重配置线路层上并电性连接至该些第一扇入垫；以及一第一模封基板层，形成于该载板平面上，该第一模封基板层具有一第一下表面与一第一上表面，该第一下表面定义于该载板平面，以使该第一重配置线路层凹陷于该第一模封基板层的该第一下表面，该第一模封基板层由该第一上表面至该第一下表面的一第一封装厚度大于该第一芯片的一第一芯片设置高度，以使该第一芯片包覆于该第一模封基板层中以及该些第一金属柱包覆于该第一模封基板层的周边；其中，该些第一金属柱具有复数个不被该第一模封基板层包覆的第一顶端。
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