[发明专利]像素结构有效
申请号: | 201510526551.6 | 申请日: | 2015-08-25 |
公开(公告)号: | CN106486051B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 陈联祥;郭拱辰;曾名骏 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王珊珊 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种像素结构,包括一数据晶体管、一开关晶体管、一驱动晶体管、一补偿晶体管、一点亮晶体管、一有机发光二极管以及一第一电容。数据晶体管与开关晶体管串联于一数据信号与一第一参考信号之间,用以提供数据信号或是第一参考信号予一节点。驱动晶体管、点亮晶体管与有机发光二极管耦接于一第一操作电压与一第二操作电压之间。补偿晶体管耦接于驱动晶体管的栅极与漏极之间。第一电容耦接于节点与驱动晶体管的栅极之间。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
【主权项】:
一种像素结构,包括:数据晶体管,根据扫描信号,将数据信号传送至一节点;开关晶体管,根据第一点亮信号,提供第一参考信号给该节点;驱动晶体管,具有栅极、源极以及漏极,该源极接收第一操作电压;补偿晶体管,耦接于该栅极与该漏极之间,并接收控制信号;点亮晶体管,接收第二点亮信号,并耦接该漏极;有机发光二极管,具有阳极以及阴极,该阳极耦接该点亮晶体管,该阴极接收第二操作电压;以及第一电容,耦接于该节点与该栅极之间,其中在重置期间,该栅极的电压电平于等于一第二参考信号;在补偿期间,该栅极的电压电平等于该第一操作电压与该驱动晶体管的临界电压的绝对值的总和;在点亮期间,该栅极的电压电平等于该第二参考信号与该数据信号之间的差值再加上该第一操作电压与该驱动晶体管的该临界电压的绝对值的总和。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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