[发明专利]功率MOSFET和制造功率MOSFET的方法有效
| 申请号： | 201510528105.9 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105261650B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | O·布兰克;M·胡茨勒;D·拉福雷特;C·乌夫拉尔;R·西米尼克;叶俐君 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;胡莉莉 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及功率MOSFET和制造功率MOSFET的方法。功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)包括在半导体衬底(100)的主表面(110)中栅极沟槽(130)中的栅极电极(132)，栅极沟槽(130)平行于主表面延伸。功率MOSFET进一步包括在主表面(110)中场板沟槽(140)中的场电极(142)，场板沟槽(140)具有在第一方向上的延伸长度，该延伸长度小于在垂直于第一方向的第二方向上的延伸长度的两倍，并且在第一方向上的延伸长度大于在第二方向上的延伸长度的一半，其中第一和第二方向平行于主表面(110)。栅极电极(132)包括栅极电极材料，栅极电极材料包括金属。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：栅极电极（132），在半导体衬底（100）的主表面（110）中的栅极沟槽（130）中，所述栅极沟槽（130）平行于所述主表面延伸；以及场电极（142），在所述主表面（110）中的场板沟槽（140）中，所述栅极电极（132）包括栅极电极材料，所述栅极电极材料包括金属，其中，所述栅极电极材料包括第一和第二金属层的组合，所述第一金属层邻近于栅极电介质，并且其中所述第一金属层是金属氮化物。
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