[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201510530580.X 申请日: 2015-08-26
公开(公告)号: CN105448941A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 宫崎崇;藤原郁夫;饭田义典;木村俊介;舟木英之 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈力奕
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明实施方式的半导体装置具有多个像素。所述多个像素分别包括光电转换部、第一杂质扩散区、电压供给线、第二杂质扩散区、电位障壁部和检测部。第一杂质扩散区对由所述光电转换部光电转换出的电荷进行保持。第二杂质扩散区与所述电压供给线相连接。电位障壁部在所述第一杂质扩散区与所述第二杂质扩散区之间形成恒定的电位障壁,限制电荷在所述第一杂质扩散区与所述第二杂质扩散区之间移动。检测部检测所述第一杂质扩散区所保持的电荷。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括多个像素,所述多个像素分别包括:光电转换部;第一杂质扩散区,该第一杂质扩散区对由所述光电转换部所光电转换出的电荷进行保持;电压供给线;第二杂质扩散区,该第二杂质扩散区与所述电压供给线相连接;电位障壁部,该电位障壁部在所述第一杂质扩散区与所述第二杂质扩散区之间形成恒定的电位障壁,限制电荷在所述第一杂质扩散区与所述第二杂质扩散区之间移动;以及检测部,该检测部对所述第一杂质扩散区中所保持的电荷进行检测。
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