[发明专利]4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201510530661.X | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105206679B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;邢鼎;张航 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京君恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11466 | 代理人： | 林潮;张璐 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种4H‑SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法。其中，该场效应晶体管包括：4H‑碳化硅SiC半绝缘衬底；覆盖在4H‑SiC半绝缘衬底上的P型缓冲层，其中，P型缓冲层包括第一P型缓冲区、第二P型缓冲区和第三P型缓冲区且第二P型缓冲区形成于第一P型缓冲区与第三P型缓冲区之间；覆盖在P型缓冲层上的N型沟道层，并在N型沟道层表面的两侧形成有源极帽层和漏极帽层，其中，源极帽层表面形成有源极，漏极帽层表面形成有漏极；在N型沟道层上方且靠近源极帽层处形成栅电极。本发明解决了现有的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管电流不稳定且击穿电压低的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属半导体场效应晶体管 表面形成 漏极帽层 源极帽层 半绝缘 衬底 场效应晶体管 击穿电压 靠近源 碳化硅 栅电极 覆盖 极帽 漏极 源极 制作 | ||
【主权项】：
1.一种4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：4H‑碳化硅SiC半绝缘衬底；覆盖在所述4H‑SiC半绝缘衬底上的P型缓冲层，其中，所述P型缓冲层包括第一P型缓冲区、第二P型缓冲区和第三P型缓冲区且所述第二P型缓冲区在晶体管的水平方向上形成于所述第一P型缓冲区与所述第三P型缓冲区之间；覆盖在所述P型缓冲层上的N型沟道层，并在所述N型沟道层表面的两侧形成有源极帽层和漏极帽层，其中，所述源极帽层表面形成有源极，所述漏极帽层表面形成有漏极；在所述N型沟道层上方且靠近所述源极帽层处形成栅电极；所述第一P型缓冲区的掺杂浓度为1.1*1015每立方厘米至1.3*1015每立方厘米，厚度为0.5微米；所述第二P型缓冲区的掺杂浓度为1.4*1015每立方厘米，厚度为0.5微米；所述第三P型缓冲区的掺杂浓度为1.5*1015每立方厘米至1.7*1015每立方厘米，厚度为0.5微米。
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