[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201510531518.2 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105390481A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 野村隆夫;森凉;福冈一树 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及半导体器件。提供了一种能够在防止存储器的功能恶化的同时控制存储器并且减少半导体器件的功耗的半导体器件。半导体器件包括第一半导体芯片(逻辑芯片)和第二半导体芯片(存储器芯片)。第一半导体芯片包括：多个温度传感器，设置在彼此不同的位置中；以及存储器控制器，基于该多个温度传感器中的相应的一个温度传感器的输出结果，来控制设置在第二半导体芯片中的多个存储器区域中的每一个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一半导体芯片；以及第二半导体芯片，耦合至所述第一半导体芯片，其中所述第一半导体芯片包括存储器电路，所述存储器电路包括多个存储器区域，所述存储器区域中的每一个存储器区域包括存储器单元，并且所述第二半导体芯片包括：多个温度传感器，在所述第二半导体芯片中设置彼此不同的位置中，所述多个温度传感器中的每一个温度传感器配置为测量温度；以及存储器控制器，基于从所述多个温度传感器中的相应的一个温度传感器输出的输出结果，而控制所述第一半导体芯片的所述存储器电路的所述多个存储器区域中的每一个存储器区域。
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