[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法在审
申请号: | 201510531923.4 | 申请日: | 2015-08-26 |
公开(公告)号: | CN105441905A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 山本哲夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/513;C23C16/52;H01L21/205 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能抑制簇射头所具有的气体分散板发生阻塞的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。具有:处理室,其对衬底进行处理;簇射头,其设置于上述处理室的上游;气体供给管,其与上述簇射头连接;第一排气管,其与上述处理室的下游侧连接;第二排气管,其连接于构成上述簇射头的壁面中的、与相邻于上述处理室的第一壁面不同的第二壁面;压力检测部,其设置于上述第二排气管;控制部,其对各结构进行控制。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种衬底处理装置,其具有:处理室,其对衬底进行处理;簇射头,其设置于所述处理室的上游侧;气体供给管,其与所述簇射头连接;第一排气管,其与所述处理室的下游侧连接;第二排气管,其连接于构成所述簇射头的壁面中的、与相邻于所述处理室的第一壁面不同的第二壁面;压力检测部,其设置于所述第二排气管;控制部,其对各结构进行控制。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的