[发明专利]一种绝缘体上材料的制备方法

摘要

本发明提供一种制备绝缘体上材料的方法，包括以下步骤：S1：提供一衬底；S2：在所述衬底表面依次外延第一材料层、硼掺杂第一材料层及第二材料层；S3：重复步骤S2至少一次；S4：进行离子注入，使离子注入到最远离所述衬底的所述第一材料层中；S5：提供一表面形成有绝缘层的基板，将所述绝缘层与位于顶层的第二材料层键合，形成键合片；S6：对键合片进行退火处理，使位于离子注入层上的所述硼掺杂第一材料层吸附离子形成微裂纹而剥离，得到绝缘体上材料。本发明中，所述衬底可以重复利用，从而降低了生产材料成本，并简化了工艺流程；且离子注入剂量更低，有利于提高晶体质量，减少注入成本；本发明得到的绝缘体上材料表面非常光滑，无需抛光。

主权项

1.一种制备绝缘体上材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一衬底；S2：在所述衬底表面依次外延第一材料层、硼掺杂第一材料层及第二材料层；S3：重复所述步骤S2至少一次；S4：进行离子注入，使离子注入到最远离所述衬底的所述第一材料层中；S5：提供一表面形成有绝缘层的基板，将所述绝缘层与位于顶层的所述第二材料层键合，形成键合片；S6：对所述键合片进行退火处理，使位于离子注入层上的所述硼掺杂第一材料层吸附离子形成微裂纹，使所述键合片从所述硼掺杂第一材料层处剥离，得到自下而上依次包括基板、绝缘层及第二材料层的绝缘体上材料。