[发明专利]环栅场效应管的形成方法

摘要

一种环栅场效应管的形成方法，包括：提供包括第一区域、第二区域和第三区域的衬底；依次形成位于衬底表面的缓冲层、以及位于第二区域缓冲层表面的若干平行排列的牺牲层，所述牺牲层的排列方向与第一区域、第二区域和第三区域的排列方向相互垂直；依次形成位于缓冲层表面的沟道层、以及位于沟道层表面的半导体掺杂层；去除所述中间区的半导体掺杂层；去除所述牺牲层，暴露出所述缓冲层顶部表面；刻蚀去除所述第二区域的缓冲层，直至暴露出衬底表面；在所述暴露出的衬底表面形成覆盖剩余缓冲层侧壁表面的栅极结构，栅极结构环绕所述第二区域的沟道层，栅极结构还覆盖外围区的半导体掺杂层表面。本发明改善了形成的环栅场效应管的电学性能。

主权项

1.一种环栅场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括沿第一方向依次排列的第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域包括中间区和位于中间区两侧的外围区，其中，所述中间区和外围区的排列方向与所述第一方向平行；依次形成位于所述衬底表面的缓冲层、以及位于第二区域缓冲层表面的若干平行排列的牺牲层，且所述牺牲层的排列方向与所述第一方向相互垂直；依次形成位于所述缓冲层表面的沟道层、以及位于所述沟道层表面的半导体掺杂层，所述沟道层覆盖所述牺牲层的部分侧壁表面，所述半导体掺杂层覆盖所述牺牲层的部分侧壁表面；去除所述中间区的半导体掺杂层，保留所述外围区、第一区域和第三区域的半导体掺杂层；去除所述牺牲层，暴露出所述缓冲层顶部表面；刻蚀去除所述第二区域的缓冲层，直至暴露出衬底表面；在所述暴露出的衬底表面形成覆盖剩余缓冲层侧壁表面的栅极结构，所述栅极结构环绕所述第二区域的沟道层，所述栅极结构还覆盖外围区的半导体掺杂层表面。