[发明专利]一种转移石墨烯的方法有效

专利信息
申请号: 201510532604.5 申请日: 2015-08-26
公开(公告)号: CN105088179B 公开(公告)日: 2017-08-15
发明(设计)人: 狄增峰;戴家赟;王刚;郑晓虎;薛忠营;汪子文;张苗 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种转移石墨烯的方法,包括提供一锗催化衬底,将其放入生长腔室,并通入含氢气氛,以在所述锗催化衬底表面形成Ge‑H键;将所述催化衬底加热至预设温度,并往所述生长腔室内通入碳源,在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯;提供一键合基底,将所述锗催化衬底形成有石墨烯的一面与所述键合基底键合,得到键合片;微波处理所述键合片,以使所述Ge‑H键断裂,生成氢气,使得所述石墨烯从所述锗催化衬底上剥离,转移至所述键合基底表面。本发明可将石墨烯轻松转移至多种衬底上,无需经过湿法反应过程,减少了缺陷的引入,且能够最大程度保留了石墨烯的完整性,特别有利于大尺寸石墨烯的转移。锗催化衬底可重复利用,有利于节省材料,更为环保。
搜索关键词: 一种 转移 石墨 方法
【主权项】:
一种转移石墨烯的方法,其特征在于,包括:提供一锗催化衬底;将所述锗催化衬底放入生长腔室,往所述生长腔室内通入含氢气氛,以在所述锗催化衬底表面形成Ge‑H键;将所述催化衬底加热至预设温度,并往所述生长腔室内通入碳源,在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯;提供一键合基底,将所述锗催化衬底形成有石墨烯的一面与所述键合基底键合,得到自下而上依次由键合基底、石墨烯及锗催化衬底叠加而成的键合片;微波处理所述键合片,以使所述Ge‑H键断裂,生成氢气,使得所述石墨烯从所述锗催化衬底上剥离,转移至所述键合基底表面。
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