[发明专利]一种转移石墨烯的方法有效
申请号: | 201510532604.5 | 申请日: | 2015-08-26 |
公开(公告)号: | CN105088179B | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 狄增峰;戴家赟;王刚;郑晓虎;薛忠营;汪子文;张苗 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种转移石墨烯的方法,包括提供一锗催化衬底,将其放入生长腔室,并通入含氢气氛,以在所述锗催化衬底表面形成Ge‑H键;将所述催化衬底加热至预设温度,并往所述生长腔室内通入碳源,在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯;提供一键合基底,将所述锗催化衬底形成有石墨烯的一面与所述键合基底键合,得到键合片;微波处理所述键合片,以使所述Ge‑H键断裂,生成氢气,使得所述石墨烯从所述锗催化衬底上剥离,转移至所述键合基底表面。本发明可将石墨烯轻松转移至多种衬底上,无需经过湿法反应过程,减少了缺陷的引入,且能够最大程度保留了石墨烯的完整性,特别有利于大尺寸石墨烯的转移。锗催化衬底可重复利用,有利于节省材料,更为环保。 | ||
搜索关键词: | 一种 转移 石墨 方法 | ||
【主权项】:
一种转移石墨烯的方法,其特征在于,包括:提供一锗催化衬底;将所述锗催化衬底放入生长腔室,往所述生长腔室内通入含氢气氛,以在所述锗催化衬底表面形成Ge‑H键;将所述催化衬底加热至预设温度,并往所述生长腔室内通入碳源,在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯;提供一键合基底,将所述锗催化衬底形成有石墨烯的一面与所述键合基底键合,得到自下而上依次由键合基底、石墨烯及锗催化衬底叠加而成的键合片;微波处理所述键合片,以使所述Ge‑H键断裂,生成氢气,使得所述石墨烯从所述锗催化衬底上剥离,转移至所述键合基底表面。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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