[发明专利]一种制备TEM芯片样品的方法

摘要

本发明提供一种制备TEM芯片样品的方法，将含有金属线路的芯片在聚焦离子束切割下形成至少一个露出所述金属线路的表面，在所述表面沉积碳层，使得碳层将所述金属线路覆盖。本发明提供的芯片样品制备方法使得在露出金属线路的表面沉积碳层，利用碳层来保护表面露出的金属线路，这样使得金属线路不会接触外界空气，从而防止被外界空气氧化腐蚀，同时即使表面上覆盖了碳层，也并不影响样品在透射电镜中的观察，因此提高了制样的成功率。

主权项

1.一种制备TEM芯片样品的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供含有金属线路的芯片；步骤二：使用聚焦离子束对含有金属线路的芯片进行切割出两个凹槽，使得所述含有金属线路的芯片形成至少一个表面，所述表面上露出所述金属线路，所述两个凹槽的内壁依次形成第一表面、第二表面、第三表面、第四表面，这四个表面互相平行，在第二表面、第三表面上皆有金属线路露出；步骤三：将用于发射所述聚焦离子束的装置内装入用于形成碳层的试剂，并对步骤二中的所述第二表面和第三表面发射电子束和所述试剂进行轰击，在所述表面上沉积碳层，在所述表面上沉积碳层是在真空条件下进行，步骤三中用于发射所述聚焦离子束的装置为电子枪，所述电子枪发射的电流强度为11nA，所述电子枪中的电子束的发射方向分别与所述第二表面和第三表面所成的锐角为52°，轰击的时间为20秒～30秒，沉积的碳层厚度为10nm～50nm，使得金属线路不会接触外界空气，从而防止金属线路被外界空气氧化腐蚀；步骤四：将所述含有金属线路的芯片上未经过处理的部分切割去除，制成芯片样品片。