[发明专利]一种用于感测电流的方法、电流传感器及系统有效
| 申请号： | 201510533048.3 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105388350B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·H·伊山;汤玛士·海斯;安德鲁·L·威伯;朱立欧·雷耶斯 | 申请（专利权）人： | 英特希尔美国公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R19/32 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示了具有RDSon修正的电流感测的用于感测电流的方法、电流传感器及系统。其中方法包含：由温度传感器量测MOS晶体管开关的大致温度以产生所量测温度；使用所储存温度传感器增益及偏移修正函数以自该所量测温度计算经修正温度；量测用于该MOS晶体管的闸极驱动电压；使用所储存电压修正函数来计算电压修正因子，其中该所储存电压修正函数为该经修正温度与该闸极驱动电压的函数；量测横越该MOS晶体管开关的RDSon电压降以产生所量测RDSon电压降；及使用该所量测RDSon电压降及该电压修正因子来计算该电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 电流 方法 电流传感器 系统 | ||
【主权项】：
一种用于感测电流的方法，其特征在于，包含：由温度传感器量测MOS晶体管开关的一大致温度产生所量测温度；使用所储存的温度传感器增益及偏移修正函数通过所述所量测温度计算经修正温度；量测所述MOS晶体管的闸极驱动电压；使用所储存的电压修正函数来计算电压修正因子，其中所述所储存的电压修正函数为所述经修正温度与所述闸极驱动电压的函数；量测横越所述MOS晶体管开关的RDSon电压降来产生所量测RDSon电压降；及使用所述所量测RDSon电压降及所述电压修正因子来计算所述电流。
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