[发明专利]电阻式随机存取存储器有效
| 申请号： | 201510534466.4 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN106206940B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 陈达;王炳琨;廖绍憬 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包含基底、晶体管、下部电极、多个上部电极、可变电阻层以及限流层。晶体管设置在基底上。下部电极设置在基底上，且电性连接晶体管的一源极/漏极。多个上部电极设置在下部电极上。多个可变电阻层分别设置在下部电极及多个上部电极之间。多个限流层分别设置在可变电阻层及多个上部电极之间。通过并联多条导电丝状物在一个晶体管上的方式，改善其在高温环境下从电流判读0与1信号困难的问题，同时也能节省其所占基底面积。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式随机存取存储器，其特征在于，包含：一基底；一晶体管，设置在所述基底上；一下部电极，设置在所述基底上，且与所述晶体管的一源极/漏极电性连接；多个上部电极，设置在所述下部电极上；多个可变电阻层，分别设置在所述下部电极及所述上部电极之间；以及多个限流层，分别设置在所述可变电阻层及所述上部电极之间，所述限流层的电阻值较所述可变电阻层在低电阻态时的电阻值低。
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