[发明专利]一种硅酸镓铌钙压电晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201510534644.3 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN106480501A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 蒋博翰;郑燕青;涂小牛;熊开南;李亚乔;曹硕梁;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B15/08 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅酸镓铌钙压电晶体及其制备方法，制备方法采用微下拉法生长晶体，包括以下步骤：（1）接种：将晶体生长原料填入坩埚装炉，加热至熔点以上5～30℃，待有少量熔体流下时，以0.05～3mm/分钟的速率下拉籽晶进行接种，并控制下拉高度为6～10mm，接种直径为4～8mm；（2）等径生长：使炉内温度在±8℃范围内变化，从而控制晶体直径在5～8mm，并生长到所需要的长度；（3）收尾：晶体直径自然收细，待坩埚中再无熔体流下，晶体拉脱时生长结束，并冷却至室温，获得硅酸镓铌钙压电晶体。本发明的方法是一种快速低成本生长CNGS晶体的方法，解决了CNGS晶体结晶性能不佳，生长困难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅酸 镓铌钙 压电 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅酸镓铌钙压电晶体的制备方法，其特征在于，采用微下拉法生长晶体，包括以下步骤：（1）接种：将晶体生长原料填入坩埚装炉，加热至熔点以上5～30℃，待有少量熔体流下时，以0.05～3mm/分钟的速率下拉籽晶进行接种，并控制下拉高度为6～10mm，接种直径为4～8mm；（2）等径生长：使炉内温度在±8℃范围内变化，从而控制晶体直径在5～8mm，并生长到所需要的长度；（3）收尾：晶体直径自然收细，待坩埚中再无熔体流下，晶体拉脱时生长结束，并冷却至室温，获得硅酸镓铌钙压电晶体。
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