[发明专利]一种光刻对准标记的制备方法

摘要

本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，以解决在功率半导体器件制造过程中，光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括：通过第一次光刻工艺，形成光刻对准标记本体；在所述光刻对准标记本体上，形成绝缘层；通过第二次光刻工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，形成覆盖所述光刻对准标记本体的保护膜，得到所需的光刻对准标记。

主权项

1.一种光刻对准标记的制备方法，其特征在于，包括：通过第一次光刻工艺，形成光刻对准标记本体，其中，所述光刻对准标记本体位于划片道上，所述划片道为在衬底上制备功率半导体器件制备时，预留下来的用于后续切割功率半导体器件使用的刀片行走路径；在所述光刻对准标记本体上，形成绝缘层；通过第二次光刻工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，形成覆盖所述光刻对准标记本体的保护膜，得到所需的光刻对准标记；其中，在通过第一次光刻工艺，形成光刻对准标记本体之前，还包括：在硅衬底表面形成二氧化硅薄膜；其中，所述光刻对准标记本体内形成有二氧化硅缓冲层，形成方法包括将所述二氧化硅薄膜刻穿制得所述光刻对准标记本体之后，对所述光刻对准标记本体进行进一步的二次氧化；其中，通过第一次光刻工艺，形成光刻对准标记本体包括：在所述二氧化硅薄膜上形成光刻胶层；利用曝光工艺，对光刻胶层进行构图，在光刻胶层上形成对应光刻对准标记本体的图案；对所述二氧化硅薄膜进行刻蚀处理，将光刻胶层上形成的对应光刻胶层对准标记 本体的图案转移到所述二氧化硅薄膜上，形成所述光刻对准标记本体；其中，覆盖所述光刻对准标记本体的保护膜的厚度为100至300纳米；所述光刻对准标记本体为同时向两个方向延伸的十字形。